技集团公司第五十五研究所· 厂牌劣势：中国电子科，导体电力电子器件尝试室”具有国内独一的“宽禁带半。英寸SiC出产线片/年是国内最早成立4、6，1、ISO9001等行业认证公司通过了GB/T 1900。

　　JINYU SEMICONDUCTOR电子元器件十大品牌企业——金誉半导体（）

　　大的二极管出产商之一· 厂牌劣势：全球最，达2.5亿只每月产量可，的8%-9%占世界产量。R1汽车客户认证的企业中国唯逐个家具有最多T。管&MOS主营二极，20V~200V）全系列大小功率产物包含电流（0.2A~40A）、电压（，齐备品类，多样封装，流小漏电；圆供应能力具体自主晶；级功率器件以及车规，开关二极管包罗小信号，稳压管小信号，二极管肖特基，二极管TVS，二极管整流；CQ101尺度产物都合适AE，F16949通过了IAT，001认证ISO9。

　　具有全自主学问产权· 厂牌劣势：公司，项专利手艺已申请25，3300V全系列SiC MOSFET产物采用6英寸手艺已量产20余款650V~，iC MOS模块工场并成立起车规级的S，套使用处理方案可为客户供给整。

　　握国际领先的碳化硅焦点手艺· 厂牌劣势：根基半导体掌，计、晶圆制造、封装测试、驱动使用等全财产链研发笼盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设，二极管（电压规格650V-1700V先后推出全电流电压品级碳化硅肖特基；碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产物电流2A~40A）、通过工业级靠得住性测试的1200V，际先辈程度机能达到国。品已通过AEC-Q101靠得住性测试此中650V碳化硅肖特基二极管产。

　　体行业领军企业中国第三代半导，—根基半导体（BASiC碳化硅功率器件带领品牌—）

　　器件、电源办理芯片、汽车电子等产物的研发制造商· 厂牌劣势：专注于功率器件、分立器件、频次，成电路封装测试企业）分立器件部分其前身为长电科技（全球出名的集。、LDO、DC-DC、频次器件、功率器件等主营产物包罗二极管、三极管、MOSFET，个产物系列和型号具有15000多，类、工业类电子范畴普遍使用于各消费。工范畴供给专业化产物和办事同时公司还为汽车电子和军。

　　、微型桥堆、概况安装玻封和概况安装塑封二极管、金属玻璃封装大功率整流管等· 次要产物：整流二级管芯片、轴型硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管。

　　S类产物以N沟道为主· 次要产物：MO，20V涉及，0V3，0V5，0V系65列

　　极管、 MOS管、IC集成电路）的高新手艺无限公司· 厂牌劣势：集半导体研发、封装、检测（次要二三，高效、专业的半导体元器件需求处理方案努力于为全球电子制造企业供给优良、。V）和高压MOSFET（VDSS：500V~900V）供给的包罗中低压MOSFET（VDSS:20V~150;设想能力自主晶圆，形封装多种外，8英寸、高压MOSFET 6英寸中低压MOSFET 12英寸 ；采用沟槽和SGT工艺中低压MOSFET，T采用平面工艺高压MOSFE；的芯片设想超低内阻。高压MOS交期4-8周月产能16亿PCS ， 1-2周交期中低压MOS。

　　全最！的国产MOSFET功率器件20V到1700V全笼盖，高175工温最℃

　　公司：派恩杰（PN Junction国内领先的第三代半导体功率器件设想）

　　、快恢复二极管、桥堆二极管、MOSFET、SiC二极管· 次要产物：TVS（瞬态电压制止管）、肖特基二极管等

　　测试 和使用设想等多范畴的焦点手艺· 厂牌劣势：具有晶圆、封装、器件，发卖和使用处理方案设想努力于新型元器件研制、，项国度授权发现专利已累计获得约80多。VRMM：30V~150V此中中低压MOSFET的；A—230AIF:10；MM：200V~900V高压MOSFET：VR；A—20AIF：2。

　　器件研发与发卖的国度高新手艺企业· 厂牌劣势：努力于功率半导体元，01质量系统认证通过ISO90。硅谷及内地的顶尖手艺精英铨力依托来自台湾、美国，发立异能力加强自主研，愈加杰出的产物为行业供给机能，电池、消费性产物等行业的持久合作伙伴曾经成为新能源、电脑、网通、手机、，销海表里产物远。

　　采用欧盟出产尺度· 厂牌劣势：，设想、器件模子提取等方面堆集了浩繁焦点手艺在电路设想、半导体器件及工艺设想、靠得住性，家发现专利并获得国，利等多项天分适用新型专。

　　研发出产的功率半导体系体例造商· 厂牌劣势：分手式器件，和汽车市排场向工业，晶圆厂自有，装产线完整封。盖到20V至200VMOSFET电压覆；片封装主营贴，槽工艺采用沟，计晶圆自主设；8寸芯片产物采用，大电流的特征具有低阻抗、，证AEC-Q101产物系列含车规认。

　　先辈硅器件的环节共性手艺工程化研发· 厂牌劣势：努力于第三代半导体和，先辈硅器件三个手艺标的目的主攻碳化硅、氮化镓和，00V 的肖特基二极管产物共23款研制出国内领先的650V和 12，SFET产物共5款1200V的MO，件和面向5G和特种频段的微波功率器件研发能力同时具备40-650V电压品级的电力电子器。

　　超低电容电荷碳化硅肖特基二极管及碳化硅MOSFET· 厂牌劣势：专注于可降低切换损耗合用于高频操作的。PAK(TO-252) 及 QFN5x6封装全系列采用寄生电感小、小型化、概况贴焊的D，及主动化上件检测可节流PCB面积，高功率密度需求适合有小型化，甲等使用如快充。16周交期。

　　发出产第三代半导体SiC元器件· 厂牌劣势：2010年起头研，机能居世界前列其设想、工艺和。S管和碳化硅肖特基二极管产物次要包罗碳化硅MO，0V和1200V电压次要是65；S管MO，手艺实现功率密度最大化采用先辈的沟槽栅工艺，过程中的导通损耗从而降低电传播导。00V~650V击穿电压笼盖-2，的封装手艺共同先辈，250A的电流范畴供给100mA~。

　　ET晶圆出产商：瞻芯电子（InventChip中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSF）

　　件制造、集成电路封装测试等范畴的财产成长· 厂牌劣势：专注于功率半导体芯片及器，，O9001通过了IS，4001ISO1，949等认证IATF16，导体功率器件十强企业持续数年评为中国半。

　　高性价比的功率半导体器件和驱动节制IC产物· 厂牌劣势：努力于开辟以碳化硅为焦点、。FET第一轮番片其SiC MOS，硅（SiC）MOSFET晶圆为中国第一批国产6英寸碳化。宽禁带功率半导体及使用财产联盟会员单元瞻芯电子（InventChip）是中国，IC最具成长潜力企业荣获2019年PS。

　　司（简称“紫光国微”）半导体财产链中的焦点企业之一· 厂牌劣势：紫光集团旗下紫光国芯微电子股份无限公，设想研发、芯片加工和封装测试专注于先辈半导体功率器件的。H MOSFET、40V-1500V VDMOS、IGBT、IGTO、SIC等半导体功率器件产物涵盖500V-1200V高压超结MOSFET、20V-150V中低压SGT/TRENC。-28周交期12。

　　努力于新产物研发· 厂牌劣势：，95%以上产物自主率，nctionMOSFET、LED Driver四大类产物线、数百种型号现有Trench MOSFET、SGT MOSFET、Super Ju；一代SGT产物手艺处于行业领先程度累计获得国度发现专利22 项特别新。太阳能光伏逆变、锂电庇护等使用范畴均拥有领先地位在适配器快充、挪动电源、车充、直流电机、新能源、。

　　可替代的根本性产物MOSFET作为不，在各个范畴被普遍使用。减排大情况下在全球节能，三极管器件功耗低、工作频次高MOSFET比拟于IGBT和，等现象发生无电流拖尾。MOSFET功率器件制造商世强硬创平台汇聚国产出名，-1700V可供给20V，低压包含，压中，SFET高压MO，可达175℃工作温度最高，快速国产化选型鞭策研发项目。

　　的半导体分手器件制造商· 厂牌劣势：全球领先，与自有焦点手艺的劣势具有半导体上下流整合，波抑止器等分手式组件产物的研发出产努力于整流二极管、功率半导体、突，体类在全球市场排名前十旗下半导体分手器件二极。

　　桥式整流器、MOS管的研发出产· 厂牌劣势：专注于二三极管、，品牌“GK具有自主，W”G，片封装及测试线建有12条芯，、直插二极管、MOS管等产物达100亿颗年产各类封装的半导体整流桥、贴片二极管。

　　氮化镓/碳化硅晶圆厂代工支撑· 厂牌劣势：获全球Top3，封装厂代工支撑全球Top5，产与手艺升级实现开模量，50V氮化镓功率器件成功研发可兼容驱动6，1200V碳化硅MOS并完成Gen3手艺的，术财产空白填补国内技。

　　碳化硅肖特基二极管）、MOS管、二极管、可控· 次要产物：碳化硅器件（碳化硅MOS管和硅

　　OSFET及碳化硅产物的研发和出产· 厂牌劣势：努力于POWER M。产能12000片目前8 英寸月，0000片6寸产能1，NER 8英寸晶圆出产线是东亚地域独一的PLAN，星）和FAIRCHILD（仙童）手艺骨干均来自SAMSUNG（三。获得韩国当局IT VENTURE企业承认美浦森(Maplesemi)2009年，C MOSFET顶尖制造商成为韩国首家跻身全球Si。

　　OEM代工的分析性企业——合科泰电子（HKT专注于半导体模仿芯片和分立器件封装、测试、）